红外成像技术在我国发展趋势

       红外成像仪具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、可全天候、全天时工作等优点，在军用和民用领域都得到了极为广泛的应用。在军事上，包括对军事目标的搜索、观瞄、侦察、探测、识别与跟踪；对远、中、近程军事目标的监视、告警、预警与跟踪；红外成像的精确制导；武器平台的驾驶导航；探测隐身武器系统，进行光电对抗等。在民用领域，在工业、遥感、医学、消费电子、测试计量和科学研究等许多方面也得到广泛应用。目前国外红外成像器件已发展到了智能灵巧型的第四代，在光电材料、生产工艺、成像质量及系统应用等方面都取得了丰硕的成果，但是国内红外相关技术研究与生产起步较晚，并且受工业基础制约，发展远滞后于国外，而市场需求却持续强劲，无论在军用还是民用领域都有巨大的发展空间。

下面简述国内外红外成像技术部分最新的研究成果和动态，针对我国具体状况，提出关于我国红外成像技术发展的若干思考，讨论红外成像及其图像处理、应用中的一些新技术、发展重点和难点，对以后一段时期内的红外成像新技术发展及其市场前景进行展望。

2.  红 外探 测 器 发 展 现状

从第一代红外探测器至今已有 40 余年历史，按照其特点可分为四代：第一代（1970s-80s）主要是以单元、多元器件进行光机串/并扫描成像；第二代（1990s-2000s）是以 4×288 为代表的扫描型焦平面；第三代是凝视型焦平面；目前正在发展的可称为第四代，以大面阵、高分辨率、多波段、智能灵巧型系统级芯片为主要特点，具有高性能数字信号处理功能，甚至具备单片多波段融合探测与识别能力。在红外探测器发展过程中，新材料、新工艺、新器件、新方法不断涌现，按工作环境可分为致冷型和非致冷型两大类。

2.1 高性能致冷型红外探测器

此类器件需要在低温下（77K）工作，相比非致冷器件,成像质量优异、探测灵敏度高，通常又可分为传统型和量子阱焦平面探测器。其中前者主要采用碲镉汞（HgCdTe）、锑化铟（InSb）两种材料，又以碲镉汞占主导地位，应用最为广泛。国际上知名研究机构有法国 Sofradir、英国 SELEX、德国 AIM、美国 DRS、Raytheon 等。已研制、生产的高水平商用焦平面探测器有：长波 640×480、中波 1024×1024、短波 4096×4096、双色/双波段 1280×720。量子阱焦平面探测器由于材料和器件工艺成熟、产量高、成本低，经过近 15 年的快速发展，已成为长波致冷型焦平面器件的两大主要分支之一。目前在美国和英、法、德、瑞典等欧洲发达国家已研制出全电视制式的 640×512（包含 640×480）长波焦平面器件和中等规模的 32×240（包含 256×256，384×288 格式）双色器件产品。以美国 NASA/ARL 联合研制的大面阵 1024×1024 长波焦平面和 NASA/JPL 研制的 640×512 四色焦平面，代表了当前 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器的最高研究水平。

 非致冷型红外探测器

室温工作的红外成像系统不仅可以降低昂贵的致冷费用，而且还可以简化器件制作工艺，便于集成轻便化与携带使用。经过多年的努力，红外探测器已经从工作温度不到 100K 的传统光子型半导体红外探测器发展到 200K 左右的半导体超晶格量子点探测器，进而又发展到了工作温度较高的半导体热探测器和超巨磁电阻热探测器等，探测器材料在此起到了至关重要的作用。美国 Raytheon、Lockheed-Martin、Boeing Indigo，英国 BAE、QinetiQ，法国 ULIS，日本 NEC 等公司长期从事非致冷红外探测器研究，所采用的材料主要有 3 种：热释电材料、氧化钒和非晶硅。最早用于红外瞄准具的是基于钛酸锶钡（BST）热释电材料的 320×240 非致冷焦平面。目前基于钛酸锶钡钽钪酸铅（PST）热释电材料和基于氧化钒、非晶硅热敏电阻材料探测器技术也已成熟，美国、英国 VOx 产品规模已达到 640×480，法国α-Si 产品和英国热释电产品规模均为 384×288。

 国内红外探测器发展现状

国内从上世纪 80 年代后期陆续开始了红外焦平面探测器的研制。尽管国内的第二代、第三代红外焦平面技术在材料、器件工艺、读出电路、杜瓦和致冷等方面取得一些进展，完成了少数器件的研制，但还有许多关键技术还没有完全可靠性、工程化、通用化与标准化水平有待进一步提高；第四代产品还刚开始进行技术突破，到目前为止，只有为数很少的工程化产品提供军方使用。目前实现批量生产的焦平面探测器组件相当于西方国家较早一段时期的水平。红外探测器技术总体水平与西方发达国家相比仍有较大差距。

 探测器发展趋势及红外成像新技术

未来红外焦平面探测器的主要发展趋势包括：更大规格、更高性能、多色/多波段探测、信息处理高速智能化、非致冷（含提高工作温度）、光机电集成一体化等，器件制作将主要依托分子束外延（MBE）多层材料精密生长技术、微电子行业中的超大规模集成电路技术和微纳结构精细加工技术。

与此同时，一些新概念红外成像理论和技术不断提出，极大地促进了新概念红外成像系统的产生，并对今后红外成像技术的发展趋势产生明显的影响，例如多色红外成像、红外偏振成像、主/被动红外三维（3D）成像、亚像元/超分辨力红外成像、近自然感伪彩色红外成像等技术。